Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeProdutosAccesorios de módulos intelixentes industriaisEspecificacións do módulo de memoria DDR3 UDIMM

Especificacións do módulo de memoria DDR3 UDIMM

Tipo de pagamento:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. Orde:
1 Piece/Pieces
Transporte:
Ocean,Air,Express,Land
  • Descrición do produto
Overview
Atributos do produto

Modelo núm.NSO4GU3AB

Capacidade de subministración e informa...

TransporteOcean,Air,Express,Land

Tipo de pagamentoL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Envases e entrega
Unidades de venda:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-pin DDR3 UDIMM


Historia da revisión

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Táboa de información de pedido

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Descrición
Hengstar DDRAM DDDR3 non infundado DDRAM (taxa de datos dobre de dobre taxa de datos Syncronous DRAM de dobre en liña) son módulos de memoria de alta velocidade de alta velocidade que usan dispositivos SDRAM DDR3. NS04GU3AB é un produto DIMM de 512 m x 64 bits de dous rango DDR3-1600 CL11 1,5V SDRAM, baseado en dezaseis compoñentes FBGA de 256 m x 8 bits. O SPD está programado a JEDEC Latency DDR3-1600 Tempo de 11-11-11 a 1,5V. Cada DIMM de 240 pines usa dedos de contacto de ouro. O DIMM sen borros SDRAM está destinado ao uso como memoria principal cando se instalan en sistemas como PCS e estacións de traballo.


características
Subministración de potencia: VDD = 1.5V (1.425V a 1.575V)
 VDDQ = 1.5V (1.425V a 1.575V)
800MHz FCK para 1600MB/SEC/PIN
8 Banco interno independente
 Latencia CASpramable CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Latencia de aditivos inprogramables: 0, CL - 2 ou Cl - 1 reloxo
 Pre-Fetch
 Lonxitude: 8 (entrelazado sen límite, secuencial con enderezo inicial "000" só), 4 con TCCD = 4 que non permite ler nin escribir sen problemas [nin sobre a marcha usando A12 ou MRS]
 BI-DIRECTIONAL DATOS DE DATOS STOBOBO
Calibración  Interno (auto); Auto -calibración interna a través do pin ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
 a terminación de morrer usando o pin ODT
 O período de refresco de ASUNAGE 7.8us a inferior ao tcase 85 ° C, 3,9US a 85 ° C <tcase <95 ° C
 Restablecer o restablecemento
 Forza de unidade de saída de datos axustable
 Topoloxía
PCB: altura 1,18 ”(30 mm)
 Cumprimento e sen halóxenos


Parámetros de cronometraxe clave

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Táboa de enderezos

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Descricións de pin

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Notas A táboa de descrición do pin seguinte é unha lista completa de todos os pinos posibles para todos os módulos DDR3. Todos os pines que figuran poden non ser compatible con este módulo. Vexa as asignacións de PIN para obter información específica deste módulo.


Diagrama de bloques funcional

4GB, módulo 512MX64 (2Rank de x8)

1


2


Nota:
1. A bola ZQ en cada compoñente DDR3 está conectada a unha resistencia externa de 240Ω ± 1% que está ligada ao chan. Úsase para a calibración do controlador de terminación e saída do compoñente.



Dimensións do módulo


Vista frontal

3

Vista frontal

4

Notas:
1. Todas as dimensións están en milímetros (polgadas); Max/min ou típico (Typ) onde se indica.
2.Tolerancia en todas as dimensións ± 0,15 mm a menos que se especifique o contrario.
3.O diagrama dimensional só é para referencia.

Categorías de produtos : Accesorios de módulos intelixentes industriais

Envíeo por correo a este provedor
  • *Asunto:
  • *Para:
    Mr. Jummary
  • *Correo electrónico:
  • *Mensaxe:
    A túa mensaxe debe estar entre 20-8000 caracteres
HomeProdutosAccesorios de módulos intelixentes industriaisEspecificacións do módulo de memoria DDR3 UDIMM
Enviar consulta
*
*

Inicio

Product

Phone

Sobre nós

Enquisa

Contactaremos con vostede de inmediato

Encha máis información para que poida poñerse en contacto contigo máis rápido

Declaración de privacidade: a súa privacidade é moi importante para nós. A nosa empresa promete non divulgar a súa información persoal a ningunha expansión con os seus permisos explícitos.

Enviar